Hãng Natero đã trình bày thành quả của mình tại Hội thảo Công nghệ mới ở Cambridge (bang Massachusetts, Mỹ). Hãng này đã sử dụng các cuộn carbon để tạo ra các bóng bán dẫn, những chuyển mạch tắt-bật mang theo các thông tin số bên trong các con chip vi tính: các chuỗi ống nano sẽ di chuyển lên hay xuống để thể hiện các giá trị mã nhị phân 0 và 1. Không giống như các điện tử trong các bóng bán dẫn điện tử thông thường, những ống nano này vẫn giữ nguyên vị trí khi máy tính đã bị tắt nguồn.

Hãng này đã thành công trong việc chế tạo những tấm wafer đường tròn có đường kính 13cm, có thể lưu trữ 10Gb dữ liệu. Lượng dữ liệu này lớn hơn nhiều so với những loại thẻ nhớ tương đương được sử dụng hiện nay. Tuy nhiên, ông Greg Schmergel, giám đốc điều hành của Nantero còn cho biết các chip nhớ nano có tốc độ nhanh hơn tới mười lần so với các loại thẻ nhớ "flash", là một trong những loại bộ nhớ có tốc độ nhanh nhất hiện nay.

Nantero gọi công nghệ của họ là NRAM, chữ viết tắt từ "bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên không biến đổi, sử dụng ống nano".

Loại bộ nhớ không biến đổi (đúng như tên gọi của nó: có thể lưu giữ toàn bộ dữ liệu thậm chí ngay cả khi nguồn điện đã bị ngắt) hiện có mặt trên thị trường dưới dạng các thẻ nhớ flash. Những thẻ nhớ này giữ các điện tử trong các tế bào cách ly để thể hiện các giá trị 0 và 1. Loại bộ nhớ này được sử dụng trong rất nhiều thiết bị cầm tay, từ các máy nghe nhạc MP3 đến những tấm thẻ nhớ dùng trong máy ảnh số. Và công nghệ RAM từ (FRAM) cũng có triển vọng trở thành một dạng bộ nhớ không biến đổi: nó sử dụng hướng của các nguyên tử tinh thể để lưu trữ dữ liệu.

Nhưng theo thời gian, cả hai loại chip flash và FRAM đều bị mất khả năng lưu giữ thông tin. Ông Schmergel cho biết, các chip FRAM lớn hơn nhiều so với NRAM.

Ông Schmergel nói rằng các chip nhớ của Nantero còn có thể sử dụng được trong các con tàu vũ trụ. Bức xạ ngoài không gian có thể làm ảnh hưởng tới các điện tử dùng để lưu trữ dữ liệu trong các thiết bị nhớ flash, bởi vậy người ta phải bảo vệ các thiết bị này trong một vỏ bọc chì. Còn bộ nhớ NRAM có thể tránh được vấn đề này, cung cấp cùng một khả năng tính toán nhưng lại đỡ cồng kềnh hơn.

Theo thiết kế của Nantero, các chip nhớ NRAM của họ bao gồm các băng ống nano được treo giữa các chấm bên trên một chip silicon, tạo thành các cầu cực nhỏ bên trên các điện cực. Khi một điện tích được áp vào, các cầu ống nano này sẽ bị uốn xuống để chạm vào các điện cực. Sự biến dạng của các cầu ống nano này sẽ vẫn tồn tại ngay cả khi nguồn điện đã bị ngắt.

Ông Schmergel cho biết hãng của ông hiện đang thảo luận với các nhà sản xuất, như LSI Logic. Những công ty này sẽ thay đổi một vài bước trong dây chuyền sản xuất các bóng bán dẫn cho máy tính xách tay của họ để có thể sản xuất các chip nhớ ống nano kiểu mới này.

Còn ông Norman Armour, Phó chủ tịch kiêm Tổng giám đốc nhà máy của LSI ở Oregon (Mỹ) nói rằng các nhà phát triển đang “làm việc hết sức tích cực” để áp dụng công nghệ này vào các thiết bị điện tử. Ông cho biết họ vẫn còn phải kiểm tra độ ổn định của việc sản xuất các chip nhớ này với số lượng lớn, nhưng ông hy vọng mẫu sản phẩm bộ nhớ NRAM có thể sẽ được giới thiệu vào mùa hè năm 2006.